Nghiên Cứu Vật Liệu Nano Si, Ge

Cấu trúc vùng năng lượng của vật liệu nano trên cơ sở Silic và Germanium

Tác giả: Lê Thành Công

Lĩnh vực: Khoa học Vật liệu, Vật lý Bán dẫn

Nội dung tài liệu:

Luận án tập trung nghiên cứu về vật liệu nano trên cơ sở Silic (Si) và Germanium (Ge), hai nguyên tố bán dẫn cơ bản cho ngành công nghiệp vi điện tử. Nghiên cứu khai thác những đặc tính độc đáo của vật liệu ở kích thước nano, bao gồm khả năng phát quang ở nhiệt độ phòng, sự phù hợp cho việc chế tạo pin mặt trời hiệu suất cao, và ứng dụng trong các linh kiện điện tử tiên tiến. Luận án đề cập đến các phương pháp chế tạo vật liệu nano Si và Ge như bốc bay nhiệt theo cơ chế VLS, ăn mòn hóa học có hỗ trợ kim loại (MACE), và đồng phún xạ. Đồng thời, luận án trình bày các phương pháp khảo sát cấu trúc, hình thái và tính chất của vật liệu nano, bao gồm nhiễu xạ tia X, phổ tán xạ Raman, phổ EDS, hiển vi điện tử (TEM, SEM), và các phương pháp đo phổ huỳnh quang, phổ hấp thụ. Các chương nghiên cứu đi sâu vào phân tích cấu trúc vùng năng lượng, tính chất quang, và mối liên hệ giữa các yếu tố này với cấu trúc và hình thái của vật liệu nano Si và Ge.

Mục lục chi tiết:

• Lời cam đoan
• Lời cảm ơn
• Mục lục
• Danh mục các hình và đồ thị
• Danh mục bảng biểu
• Mở đầu
• Chương 1: Tổng quan về vật liệu nano Si, Ge
• Chương 2: Phương pháp chế tạo và khảo sát đặc tính của vật liệu
• Chương 3: Nghiên cứu nano tinh thể Si chế tạo bằng phương pháp bốc bay nhiệt
• Chương 4: Nghiên cứu nano tinh thể Si chế tạo bằng phương pháp ăn mòn điện hóa (MACE)
• Chương 5: Nghiên cứu nano tinh thể Ge trong nền vật liệu SiO2 chế tạo bằng phương pháp phún xạ ca tốt
• Kết luận và kiến nghị
• Danh mục các công trình đã công bố của luận án
• Tài liệu tham khảo