Xem trước tài liệu

Đang tải tài liệu...

Thông tin chi tiết tài liệu

Định dạng: PDF
Số trang: 68 trang
Dung lượng: Đang cập nhật

Giới thiệu nội dung

Khảo Sát Cấu Hình Nhám Thông Qua Mật Độ Hấp Thụ Tích Hợp Trong Giếng Lượng Tử GaN/AIN

Tác giả: Đặng Thị Diễm Phúc

Lĩnh vực: Vật Lý Lý Thuyết Và Vật Lý Toán

Nội dung tài liệu:

Luận văn Thạc sĩ Vật Lý này tập trung khảo sát cấu hình nhám bề mặt trong giếng lượng tử GaN/AIN. Nghiên cứu đề cập đến các đặc trưng của vật liệu bán dẫn GaN và AlN, cũng như các mô hình giếng lượng tử khác nhau. Phương pháp nghiên cứu chủ yếu dựa trên lý thuyết Cơ học lượng tử, sử dụng các phương pháp biến phân và phương pháp số, kết hợp với chương trình Mathematica để tính toán và xử lý dữ liệu. Cụ thể, luận văn đi sâu vào việc phân tích sự phụ thuộc của cường độ hấp thụ tích hợp và độ rộng vạch phổ vào các tham số của cấu hình nhám như biên độ nhám và chiều dài tương quan. Kết quả nghiên cứu giúp làm rõ hơn ảnh hưởng của tán xạ nhám bề mặt đến các tính chất của giếng lượng tử, góp phần nâng cao hiểu biết về các vật liệu bán dẫn thế hệ mới cho các ứng dụng trong công nghệ điện tử và quang điện tử.

Mục lục chi tiết:

  • Trang phụ bìa
  • Lời cam đoan
  • Lời cảm ơn
  • Mục lục
  • Danh mục các bảng biểu
  • Danh mục các từ viết tắt và kí hiệu
  • Danh sách các hình vẽ
  • MỞ ĐẦU
  • NỘI DUNG:
    • Chương 1. CƠ SỞ LÝ THUYẾT
    • Chương 2. KHẢO SÁT CẤU HÌNH NHÁM BỀ MẶT TRONG GIẾNG LƯỢNG TỬ GaN/AIN
    • Chương 3. KẾT QUẢ TÍNH TOÁN VÀ THẢO LUẬN
  • KẾT LUẬN
  • TÀI LIỆU THAM KHẢO
  • PHỤ LỤC