Ảnh Hưởng Của Sóng Điện Từ Mạnh Lên Hấp Thụ Sóng Điện Từ Yếu Bởi Điện Tử Giam Cầm Trong Hố Lượng Tử Có Kể Đến Hiệu Ứng Giam Cầm Của Phonon (Trường Hợp Tán Xạ Điện Tử – Phonon Quang)

Ảnh Hưởng Của Sóng Điện Từ Mạnh Lên Hấp Thụ Sóng Điện Từ Yếu Bởi Điện Tử Giam Cầm Trong Hố Lượng Tử Có Kể Đến Hiệu Ứng Giam Cầm Của Phonon (Trường Hợp Tán Xạ Điện Tử – Phonon Quang)

Tác giả: Sa Thị Lan Anh

Lĩnh vực: Vật lý lý thuyết và vật lý toán

Nội dung tài liệu:

Luận văn này nghiên cứu về ảnh hưởng của sóng điện từ mạnh lên sự hấp thụ sóng điện từ yếu bởi điện tử giam cầm trong hố lượng tử, có xem xét đến hiệu ứng giam cầm của phonon, đặc biệt là trường hợp tán xạ điện tử – phonon quang. Nghiên cứu tập trung vào cấu trúc bán dẫn thấp chiều, cụ thể là hố lượng tử. Phương pháp chính được sử dụng là phương trình động lượng tử để xây dựng và giải bài toán.

Luận văn phân tích sự thay đổi phổ năng lượng của điện tử trong hố lượng tử do các yếu tố như từ trường và hiệu ứng giam cầm. Đồng thời, luận văn cũng trình bày chi tiết các bước xây dựng phương trình động lượng tử, tính toán mật độ dòng hạt tải và hệ số hấp thụ phi tuyến. Các kết quả lý thuyết thu được cho hố lượng tử GaAs/GaAsAl được tính toán số và đưa ra biểu đồ minh họa. Một phần kết quả đã được công bố tại PIERS Proceedings, Kuala Lumpur, MALAYSIA (2012).

Mục lục chi tiết:

• Mở đầu
• Chương 1: Giới thiệu về hố lượng tử và bài toán hấp thụ sóng điện từ yếu bởi điện tử khi có mặt của trường bức xạ laser trong bán dẫn khối
• Chương 2: Hấp thụ phi tuyến sóng điện từ yếu bởi điện tử giam cầm trong hố lượng tử khi có mặt trường bức xạ laser có kể đến hiệu ứng giam cầm của phonon
• Chương 3: Tính toán số và vẽ đồ thị kết quả lý thuyết cho hố lượng tử GaAs/GaAsAl
• Kết luận
• Tài liệu tham khảo
• Phụ lục