Xem trước tài liệu

Đang tải tài liệu...

Thông tin chi tiết tài liệu

Định dạng: PDF
Số trang: 140 trang
Dung lượng: Đang cập nhật

Giới thiệu nội dung

Chế tạo nano tinh thể hợp kim SiGe trên nền SiO2 và nghiên cứu một số tính chất của chúng

Tác giả: Không tìm thấy thông tin về tác giả trong văn bản được cung cấp.

Lĩnh vực: Không tìm thấy thông tin về lĩnh vực trong văn bản được cung cấp.

Nội dung tài liệu:

Luận án này tập trung vào việc chế tạo và nghiên cứu các tính chất vật lý của vật liệu nano tinh thể hợp kim Si₁-xGex. Vật liệu này được phân tán trên nền SiO2, một vật liệu có độ rộng vùng cấm lớn. Nghiên cứu bao gồm các phương pháp chế tạo, khảo sát cấu trúc, hình thái và tính chất quang điện tử, cũng như ứng dụng lý thuyết phiếm hàm mật độ (DFT-GGA) và phương pháp k.p để phân tích sự hình thành và thay đổi cấu trúc vùng năng lượng. Các kết quả nghiên cứu này nhằm mục đích nâng cao hiệu suất pin mặt trời và phát triển các linh kiện quang điện tử tiên tiến.

Mục lục chi tiết:

  • MỤC LỤC
  • DANH MỤC CÁC KÝ HIỆU VÀ CHỮ VIẾT TẮT
  • DANH MỤC CÁC BẢNG BIỂU
  • DANH MỤC CÁC HÌNH VẼ, ĐỒ THỊ
  • MỞ ĐẦU
  • Chương 1. Tổng quan về vật liệu bán dẫn Ge và Si
  • Chương 2. Các phương pháp nghiên cứu và chế tạo vật liệu
  • Chương 3. Các đặc trưng vật lý của vật liệu
  • Chương 4. Ứng dụng lý thuyết phiếm hàm mật độ và phương pháp k.p trong nghiên cứu vật liệu
  • KẾT LUẬN VÀ KIẾN NGHỊ
  • TÀI LIỆU THAM KHẢO
  • DANH MỤC CÁC CÔNG TRÌNH ĐÃ CÔNG BỐ CỦA LUẬN ÁN
  • PHỤ LỤC