Xem trước tài liệu

Đang tải tài liệu...

Thông tin chi tiết tài liệu

Định dạng: PDF
Số trang: 56 trang
Dung lượng: 6 MB

Giới thiệu nội dung

Khảo Sát Cấu Hình Nhám Từ Cường Độ Hấp Thụ Tích Hợp Trong Giếng Lượng Tử GaAs/AlGaAs

Tác giả: LÊ THỊ HUYỀN TRÂM

Lĩnh vực: VẬT LÝ LÝ THUYẾT VÀ VẬT LÝ TOÁN

Nội dung tài liệu:

Luận văn này tập trung vào việc nghiên cứu cấu hình nhám trong giếng lượng tử GaAs/AlGaAs thông qua cường độ hấp thụ tích hợp. Nghiên cứu đề cập đến các đặc điểm của vật liệu bán dẫn GaAs và AlGaAs, các loại giếng lượng tử, cũng như cơ sở lý thuyết về nhám bề mặt trong các cấu trúc này. Phương pháp nghiên cứu chính bao gồm các phương pháp biến phân và phương pháp số, cùng với sự hỗ trợ của chương trình Mathematica để tính toán và vẽ đồ thị. Luận văn được cấu trúc thành ba phần chính: mở đầu, nội dung (gồm ba chương về cơ sở lý thuyết, khảo sát cấu hình nhám, và kết quả tính toán/thảo luận), và kết luận, cùng với các phần phụ lục và tài liệu tham khảo.

Mục lục chi tiết:

  • Trang phụ bìa
  • Lời cam đoan
  • Lời cảm ơn
  • Mục lục
  • DANH MỤC CÁC ĐỒ THỊ
  • Danh sách các bảng
  • Danh sách các cụm từ viết tắt
  • MỞ ĐẦU
  • NỘI DUNG
    • Chương 1. Cơ sở lý thuyết
      • 1.1. Giới thiệu về vật liệu bán dẫn GaAs/ AlGaAs
        • 1.1.1. Tổng quan về vật liệu bán dẫn GaAs
        • 1.1.2. Tổng quan về vật liệu bán dẫn AlGaAs
        • 1.1.3. Các thông số của bán dẫn thấp chiều GaAs/AlGaAs
      • 1.2. Các cấu hình của giếng lượng tử
        • 1.2.1. Giếng thế vuông góc có chiều cao vô hạn
        • 1.2.2. Giếng thế vuông góc có chiều cao hữu hạn
        • 1.2.3. Giếng lượng tử thế parabol
        • 1.2.4. Giếng lượng tử thế tam giác
      • 1.3. Tổng quan về khí điện tử hai chiều
        • 1.3.1. Đặc điểm khí điện tử hai chiều
        • 1.3.2. Các cơ chế tán xạ của khí điện tử hai chiều
    • Chương 2. Khảo sát cấu hình nhám từ cường độ hấp thụ trong giếng lượng tử GaAs/AlGaAs
      • 2.1. Mô hình vật lý của hệ nghiên cứu
      • 2.2. Dạng của các thế giam giữ
      • 2.3. Các chế độ giam giữ trong giếng lượng tử bán dẫn GaAs/AlGaAs
      • 2.4. Cực tiểu hóa năng lượng bằng phương pháp biến phân
      • 2.5. Độ mở rộng vạch phổ bởi tán xạ nhám bề mặt.
    • Chương 3. Kết quả tính toán và thảo luận
      • 3.1. Xác định giá trị của chiều dài tương quan A
      • 3.2. Xác định giá trị của biên độ nhám A
      • 3.3. So sánh cấu hình nhám khi thay đổi các tham số giếng lượng tử đối với vật liệu GaAs/AlGaAs.
  • KẾT LUẬN
  • TÀI LIỆU THAM KHẢO