Summary of Doctoral Thesis in Phycics: Excitonic condensation in semimetal – semiconductor transition systems

Excitonic Condensation in Semimetal – Semiconductor Transition Systems

Tác giả: DO THI HONG HAI

Lĩnh vực: Theoretical Physics and Maths Physics

Nội dung tài liệu:

Nghiên cứu này tập trung vào vấn đề “Ngưng tụ Exciton trong các hệ chuyển đổi từ bán kim sang bán dẫn”, nhằm khám phá bản chất của trạng thái ngưng tụ này trong các mô hình sử dụng lý thuyết trường trung bình. Tương quan điện tử được mô tả bởi mô hình hai băng bao gồm tương tác electron-phonon và mô hình Falicov-Kimball mở rộng liên quan đến tương tác electron-phonon. Dưới ảnh hưởng của tương tác Coulomb giữa electron-lỗ trống, tương tác electron-phonon, cũng như ảnh hưởng của nhiệt độ hoặc áp suất ngoài, bản chất của trạng thái ngưng tụ exciton, đặc biệt là sự chuyển đổi BCS-BEC hoặc sự cạnh tranh với trạng thái CDW trong hệ thống, được làm rõ.

Mục lục chi tiết:

• Chương 1: Trạng thái Exciton và Ngưng tụ Exciton
• 1.1. Khái niệm về Exciton
• 1.1.1. Exciton là gì?
• 1.1.2. Các toán tử tạo và hủy Exciton
• 1.2. Trạng thái Ngưng tụ Bose-Einstein và Ngưng tụ Exciton
• 1.3. Thành tựu nghiên cứu về Ngưng tụ Exciton
• 1.3.1. Nghiên cứu lý thuyết
• 1.3.2. Quan sát thực nghiệm
• Chương 2: Lý thuyết Trường trung bình
• 2.1. Các khái niệm cơ bản
• 2.1.1. Biểu diễn toán học của lý thuyết trường trung bình
• 2.1.2. Nghệ thuật của lý thuyết trường trung bình
• 2.2. Xấp xỉ Hartree-Fock
• 2.3. Phá vỡ đối xứng
• 2.3.1. Khái niệm về chuyển pha và phá vỡ đối xứng
• 2.3.2. Mô hình Heisenberg của chất sắt từ ion
• 2.3.3. Mô hình Stoner của chất sắt từ kim loại
• 2.3.4. Lý thuyết BCS
• 2.3.5. Chất cách điện Exciton – EI
• Chương 3: Exciton ngưng tụ trong mô hình hai băng có tương tác Electron – Phonon
• 3.1. Mô hình điện tử hai băng bao gồm tương tác electron – phonon
• 3.2. Ứng dụng lý thuyết trường trung bình
• 3.3. Kết quả và thảo luận số
• 3.3.1. Trạng thái cơ bản
• 3.3.2. Ảnh hưởng của dao động nhiệt