Luận văn Thạc sĩ Vật lý: Công suất hấp thụ và độ rộng phổ cộng hưởng từ – Phonon trong giếng lượng tử thế Poschl – Teller

Công Suất Hấp Thụ Và Độ Rộng Phổ Cộng Hưởng Từ – Phonon Trong Giếng Lượng Tử Thế Pöschl-Teller

Tác giả: Trần Thị Thu Nguyệt

Lĩnh vực: Vật lý Lý thuyết và Vật lý Toán

Nội dung tài liệu:
Luận văn này tập trung nghiên cứu về công suất hấp thụ và độ rộng phổ của hiện tượng cộng hưởng từ-phonon trong giếng lượng tử thế Pöschl-Teller. Nghiên cứu sử dụng phương pháp toán tử chiếu độc lập trạng thái để thiết lập biểu thức giải tích của công suất hấp thụ sóng điện từ bởi electron bị giam giữ trong giếng lượng tử thế Pöschl-Teller khi có mặt của từ trường và điện trường ngoài. Sau đó, đề tài tiến hành khảo sát số, vẽ đồ thị sự phụ thuộc của công suất hấp thụ vào năng lượng photon và biện luận các điều kiện cộng hưởng từ-phonon. Cuối cùng, phương pháp profile được áp dụng để xác định độ rộng vạch phổ cộng hưởng từ-phonon và khảo sát sự phụ thuộc của nó vào từ trường, nhiệt độ và các thông số của giếng.

Mục lục chi tiết:
(Trích xuất tự động từ file gốc)

• Trang phụ bìa
• Lời cam đoan
• Lời cảm ơn
• Mục lục
• Danh sách các hình vẽ và đồ thị
• Danh sách các bảng
• Mở đầu
• Chương 1. Một số vấn đề tổng quan
• 1.1. Tổng quan về giếng lượng tử thế Pöschl-Teller
• 1.1.1. Mô hình giếng lượng tử với thế giam giữ bất kỳ
• 1.1.2. Năng lượng, hàm sóng của electron trong giếng lượng tử thế Pöschl-Teller khi có mặt của từ trường và điện trường ngoài
• Phương pháp Nikiforov-Uvarov (NU)
• 1.1.3. Thừa số dạng của electron trong giếng lượng tử thế Pöschl-Teller khi có mặt của từ trường và điện trường ngoài
• 1.1.4. Hamiltonian của hệ electron tương tác với phonon
• 1.2. Tổng quan về phương pháp nghiên cứu
• 1.2.1. Lý thuyết phản ứng tuyến tính
• 1.2.2. Phương pháp toán tử chiếu độc lập trạng thái
• Chương 2. Biểu thức giải tích của công suất hấp thụ
• 2.1. Biểu thức giải tích của công suất hấp thụ sóng điện từ bởi electron bị giam giữ trong giếng lượng tử thế Pöschl-Teller khi có mặt của từ trường và điện trường ngoài
• 2.2. Khảo sát điều kiện cộng hưởng từ – phonon
• Chương 3. Tính số và vẽ đồ thị
• 3.1. Khảo sát số và vẽ đồ thị sự phụ thuộc công suất hấp thụ vào năng lượng photon và biện luận các điều kiện cộng hưởng từ-phonon
• 3.2. Độ rộng vạch phổ của đỉnh ODMPR
• 3.2.1. Sự phụ thuộc của độ rộng vạch phổ của đỉnh ODMPR vào nhiệt độ
• 3.2.2. Sự phụ thuộc độ rộng vạch phổ của đỉnh ODMPR vào cường độ từ trường
• 3.2.3. Sự phụ thuộc độ rộng vạch phổ của đỉnh ODMPR vào thông số của giếng
• Kết luận
• Tài liệu tham khảo
• Phụ lục