Ảnh Hưởng Của Phonon Giam Cầm Lên Hiệu Ứng Radio – Điện Trong Hố Lượng Tử Với Cơ Chế Tán Xạ Điện Tử – Phonon Âm

Tác giả: Nguyễn Thị Thanh Huyền

Lĩnh vực: Vật lý lý thuyết và Vật lý toán

Nội dung tài liệu:

Luận văn này tập trung nghiên cứu về ảnh hưởng của phonon giam cầm lên hiệu ứng radio-điện trong các hố lượng tử, đặc biệt xem xét cơ chế tán xạ điện tử – phonon âm. Nghiên cứu này tiến hành phân tích các khái niệm về hố lượng tử, lý thuyết lượng tử về hiệu ứng radio điện trong bán dẫn khối. Phương pháp nghiên cứu chủ yếu sử dụng phương trình động lượng tử để xây dựng mô hình toán học và tính toán số liệu, bao gồm cả việc sử dụng chương trình Matlab để thu được các biểu thức phân tích và biểu đồ minh họa.

Các kết quả thu được trong luận văn cho thấy sự ảnh hưởng của phonon giam cầm đối với hiệu ứng radio điện trong hố lượng tử, cụ thể là cơ chế tán xạ điện tử – phonon âm. Luận văn cũng thực hiện tính toán và vẽ đồ thị cho hố lượng tử GaAs/GaAsAl nhằm làm rõ hơn hiệu ứng radio-điện khi có sự giam cầm phonon. Những kết quả này được đánh giá là mới và có giá trị khoa học, góp phần phát triển lý thuyết về hiệu ứng radio – điện trong bán dẫn thấp chiều nói chung và hố lượng tử nói riêng.

Mục lục chi tiết:

• Mở đầu
• Chương 1: Hố lượng tử và lý thuyết lượng tử về hiệu ứng radio điện trong bán dẫn khối
• Chương 2: Phương trình động lượng tử cho điện tử và hiệu ứng radio điện trong hố lượng tử với hố thế cao vô hạn dưới ảnh hưởng của phonon âm giam cầm
• Chương 3: Tính số và vẽ đồ thị kết quả lý thuyết
• Tài liệu tham khảo
• Phụ lục