Xem trước tài liệu

Đang tải tài liệu...

Thông tin chi tiết tài liệu

Định dạng: PDF
Số trang: 60 trang
Dung lượng: Đang cập nhật

Giới thiệu nội dung

Nghiên cứu hiệu ứng kênh ngắn trong các tranzito trường xuyên hầm với cấu trúc dị chất Si/SiGe sử dụng phương pháp mô phỏng hai chiều

Tác giả:

Nguyễn Thị Thu

Lĩnh vực:

Vật lý kỹ thuật

Nội dung tài liệu:

Luận văn này tập trung nghiên cứu về hiệu ứng kênh ngắn trong các tranzito trường xuyên hầm (TFET), đặc biệt là các TFET sử dụng cấu trúc dị chất Si/SiGe loại p và n. Nghiên cứu bao gồm việc khảo sát sự phụ thuộc của hiệu ứng kênh ngắn vào các tham số và cấu trúc của linh kiện, bao gồm điện môi cổng, nồng độ tạp chất cực máng, độ rộng vùng cấm chất bán dẫn, cấu trúc đơn cổng và lưỡng cổng, cũng như điện thế cực máng. Mục tiêu là tìm ra các tham số và cấu trúc tối ưu để giảm thiểu hiệu ứng kênh ngắn, đồng thời tăng cường dòng dẫn cho TFET. Nghiên cứu cũng so sánh khả năng thu nhỏ của TFET loại n và loại p, giải thích nguyên nhân sự khác biệt, và đề xuất cấu trúc TFET dị chất liên tục loại p là một lựa chọn khả thi cho các ứng dụng trong tương lai đòi hỏi công suất tiêu thụ thấp và kích thước nhỏ.

Mục lục chi tiết:

  • BÌA PHỤ
  • LỜI CẢM ƠN
  • LỜI CAM ĐOAN
  • MỤC LỤC
  • DANH MỤC CÁC KÍ HIỆU, CHỮ VIẾT TẮT
  • DANH MỤC HÌNH VẼ
  • TÓM TẮT
  • CHƯƠNG 1: GIỚI THIỆU
  • CHƯƠNG 2: PHƯƠNG PHÁP MÔ PHỎNG
  • CHƯƠNG 3: CƠ CHẾ CỦA HIỆU ỨNG KÊNH NGẮN TRONG TFET
  • CHƯƠNG 4: HIỆU ỨNG KÊNH NGẮN TRONG CÁC TFET CẤU TRÚC DỊ CHẤT Si/SiGe LOẠI P VÀ N
  • KẾT LUẬN
  • DANH MỤC CÔNG TRÌNH CỦA TÁC GIẢ
  • TÀI LIỆU THAM KHẢO