Xem trước tài liệu

Đang tải tài liệu...

Thông tin chi tiết tài liệu

Định dạng: PDF
Số trang: 66 trang
Dung lượng: 6 MB

Giới thiệu nội dung

Nghiên cứu cấu trúc vùng năng lượng của vật liệu hai chiều SnSe2 đơn lớp bằng lý thuyết phiếm hàm mật độ

Tác giả: Nguyễn Quang Cường

Lĩnh vực: Vật lý Lý thuyết và Vật lý Toán

Nội dung tài liệu:

Luận văn này tập trung nghiên cứu cấu trúc vùng năng lượng điện tử của vật liệu hai chiều SnSe2 đơn lớp, sử dụng phương pháp lý thuyết phiếm hàm mật độ (DFT). Đề tài xem xét ảnh hưởng của biến dạng và điện trường lên các tính chất điện tử của vật liệu này. Cụ thể, luận văn tiến hành xây dựng cấu trúc nguyên tử, xác định các tham số cấu trúc ở trạng thái cân bằng, tính toán phổ phonon để kiểm tra tính bền vững động học, mô phỏng các tính chất điện tử như cấu trúc vùng năng lượng và mật độ trạng thái. Đồng thời, nghiên cứu cũng khảo sát ảnh hưởng của biến dạng và điện trường lên các tính chất điện tử của đơn lớp SnSe2.

Mục lục chi tiết:

  • Trang phụ bìa
  • Lời cam đoan
  • Lời cảm ơn
  • Mục lục
  • Danh mục kí hiệu và các chữ viết tắt
  • Danh mục các công bố liên quan đến luận văn
  • Danh sách hình vẽ
  • Mở đầu
  • Chương 1: Tổng quan về nghiên cứu
  • Chương 2: Lý thuyết phiếm hàm mật độ
  • Chương 3: Kết quả nghiên cứu và thảo luận
  • Kết luận
  • Tài liệu tham khảo
  • Phụ lục