Xem trước tài liệu

Đang tải tài liệu...

Thông tin chi tiết tài liệu

Định dạng: PDF
Số trang: 78 trang
Dung lượng: 10 MB

Giới thiệu nội dung

Khảo sát công suất hấp thụ phi tuyến trong giếng lượng tử thế tam giác bằng phương pháp toán tử chiếu phụ thuộc trạng thái

Tác giả: Nguyễn Hoàng Vũ

Lĩnh vực: Vật lý lý thuyết và Vật lý toán

Nội dung tài liệu:

Luận văn thạc sĩ này tập trung nghiên cứu về công suất hấp thụ phi tuyến trong giếng lượng tử thế tam giác. Nghiên cứu ứng dụng phương pháp toán tử chiếu phụ thuộc trạng thái để khảo sát công suất hấp thụ, từ đó phân tích hiệu ứng cộng hưởng electron-phonon và độ rộng phổ tương ứng. Đề tài bao gồm việc thiết lập biểu thức giải tích của tenxơ độ dẫn và công suất hấp thụ phi tuyến, khảo sát sự phụ thuộc của công suất hấp thụ vào năng lượng photon, nhiệt độ, biên độ điện trường và tìm hiểu các điều kiện cộng hưởng electron-phonon. Phương pháp nghiên cứu chủ yếu dựa trên lý thuyết trường lượng tử, lý thuyết phản ứng phi tuyến và phương pháp toán tử chiếu phụ thuộc trạng thái.

Mục lục chi tiết:

  • Trang phụ bìa
  • Lời cam đoan
  • Lời cảm ơn
  • Mục lục
  • Danh sách các hình vẽ
  • Mở đầu
  • Chương 1. Một số vấn đề tổng quan
    • 1.1. Giếng lượng tử thế tam giác
      • 1.1.1. Mô hình bán dẫn giếng lượng tử
      • 1.1.2. Năng lượng và hàm sóng của electron trong giếng lượng tử thế tam giác
      • 1.1.3. Thừa số dạng
    • 1.2. Phép chiếu phụ thuộc trạng thái
  • Chương 2. Biểu thức giải tích của công suất hấp thụ phi tuyến
    • 2.1. Biểu thức giải tích của tenxơ độ dẫn tổng quát
      • 2.1.1. Biểu thức giải tích của tenxơ độ dẫn tuyến tính
      • 2.1.2. Biểu thức giải tích của tenxơ độ dẫn phi tuyến
    • 2.2. Biểu thức giải tích công suất hấp thụ trong giếng lượng tử thế tam giác
      • 2.2.1. Biểu thức giải tích của công suất hấp thụ tuyến tính
      • 2.2.2. Biểu thức giải tích của công suất hấp thụ phi tuyến
  • Chương 3. Kết quả tính số và thảo luận
    • 3.1. Hiệu ứng cộng hưởng electron – phonon tuyến tính trong giếng lượng tử thế tam giác
      • 3.1.1. Khảo sát sự phụ thuộc của công suất hấp thụ tuyến tính vào năng lượng của photon
      • 3.1.2. Khảo sát sự phụ thuộc của công suất hấp thụ tuyến tính vào nhiệt độ
      • 3.1.3. Độ rộng vạch phổ của đỉnh ODEPR tuyến tính với các giá trị khác nhau của nhiệt độ
      • 3.1.4. Khảo sát sự phụ thuộc của công suất hấp thụ tuyến tính vào biên độ điện trường
      • 3.1.5. Độ rộng vạch phổ của đỉnh ODEPR tuyến tính với các giá trị khác nhau của biên độ điện trường
    • 3.2. Hiệu ứng cộng hưởng electron – phonon phi tuyến trong giếng lượng tử thế tam giác
      • 3.2.1. Khảo sát sự phụ thuộc của công suất hấp thụ phi tuyến vào năng lượng của photon
      • 3.2.2. Khảo sát sự phụ thuộc của công suất hấp thụ phi tuyến vào nhiệt độ
      • 3.2.3. Độ rộng vạch phổ của đỉnh ODEPR phi tuyến với các giá trị khác nhau của nhiệt độ
      • 3.2.4. Khảo sát sự phụ thuộc của công suất hấp thụ phi tuyến vào biên độ điện trường
      • 3.2.5. Độ rộng vạch phổ của đỉnh ODEPR phi tuyến với các giá trị khác nhau của biên độ điện trường
    • 3.3. So sánh độ rộng vạch phổ của đỉnh ODEPR tuyến tính và phi tuyến
  • Kết luận
  • Tài liệu tham khảo
  • Phụ lục