Luận án Tiến sĩ Kỹ thuật Điện tử: Nghiên cứu bộ nghịch lưu ba pha ba bậc hình T với khả năng tăng áp và chịu được lỗi

Nghiên cứu Bộ Nghịch Lưu Ba Pha Ba Bậc Hình T Với Khả Năng Tăng Áp Và Chịu Được Lỗi

Tác giả: Đỗ Đức Trí

Lĩnh vực: Kỹ thuật điện tử

Nội dung tài liệu:

Luận án tiến sĩ này tập trung nghiên cứu về cấu hình bộ nghịch lưu tăng áp tựa khóa chuyển mạch ba bậc hình T. Đề tài đề xuất giải pháp cải thiện những nhược điểm của các bộ nghịch lưu nguồn Z ba bậc và nghịch lưu ba bậc truyền thống, đặc biệt là khả năng tăng áp và chịu được lỗi. Nghiên cứu tập trung vào việc phát triển giải thuật điều chế độ rộng xung (PWM) nhằm giảm độ gợn sóng dòng điện ngõ vào, tăng độ lợi điện áp và chỉ số điều chế. Bên cạnh đó, luận án còn đề cập đến khả năng triệt tiêu điện áp common mode (CMV) và đảm bảo tính ổn định, độ tin cậy trong cả điều kiện hoạt động bình thường và điều kiện có lỗi (ngắn mạch hoặc hở mạch). Các kết quả mô phỏng và thực nghiệm được trình bày để kiểm chứng tính hiệu quả của cấu hình và giải thuật đề xuất.

Mục lục chi tiết:

• Lời cam đoan
• Tóm tắt
• Abstract
• Mục lục
• Danh sách các chữ viết tắt
• Các ký hiệu
• Danh sách hình
• Danh sách bảng
• Mở đầu
• Chương 1: Tổng quan nghịch lưu tăng áp, triệt tiêu điện áp common mode và khả năng chịu lỗi hở mạch các khóa công suất
• Chương 2: Phân tích toán học nghịch lưu tăng áp, điện áp common mode và khả năng chịu lỗi hở mạch các khóa công suất
• Chương 3: Nghịch lưu tăng áp tựa khóa chuyển mạch ba bậc hình T
• Chương 4: Kỹ thuật điều chế vector không gian cho nghịch lưu tăng áp tựa khóa chuyển mạch 3 bậc hình T có khả năng triệt tiêu điện áp common mode
• Chương 5: Nghịch lưu tăng áp tựa khóa chuyển mạch 3 bậc hình T với khả năng chịu lỗi hở mạch các khóa công suất
• Chương 6: Kết luận và hướng phát triển của luận án
• Danh mục các công trình đã công bố
• Tài liệu tham khảo
• Phụ lục