Xem trước tài liệu

Đang tải tài liệu...

Thông tin chi tiết tài liệu

Định dạng: PDF
Số trang: 80 trang
Dung lượng: 9 MB

Giới thiệu nội dung

Khảo sát độ linh động của điện tử trong giếng lượng tử GaN/AlN

Tác giả: Nguyễn Thị Hải Yến

Lĩnh vực: Vật lý

Nội dung tài liệu:

Luận văn Thạc sĩ Vật lý này tập trung khảo sát độ linh động của điện tử trong cấu trúc giếng lượng tử được chế tạo từ vật liệu bán dẫn GaN và AlN. Nghiên cứu xem xét ảnh hưởng của các nguồn giam giữ khác nhau lên độ linh động của điện tử. Phương pháp nghiên cứu chủ yếu dựa trên lý thuyết Cơ học lượng tử và các phương pháp số, sử dụng chương trình Mathematica để tính toán và vẽ đồ thị. Luận văn đề cập đến tổng quan về cấu trúc thấp chiều, giếng lượng tử, đặc trưng của vật liệu GaN, AlN và khí điện tử hai chiều.

Mục lục chi tiết:

  • Trang phụ bìa
  • Lời cam đoan
  • Lời cảm ơn
  • Mục lục
  • Danh sách các hình vẽ
  • Danh sách các bảng
  • Danh mục các ký hiệu và chữ viết tắt
  • MỞ ĐẦU
  • NỘI DUNG
  • Chương 1. CƠ SỞ LÝ THUYẾT
  • Chương 2. ĐỘ LINH ĐỘNG CỦA ĐIỆN TỬ TRONG GIẾNG LƯỢNG TỬ GaN/AIN
  • Chương 3. KẾT QUẢ TÍNH SỐ VÀ THẢO LUẬN
  • KẾT LUẬN
  • TÀI LIỆU THAM KHẢO
  • PHỤ LỤC