Luận văn Thạc sĩ Vật lý: Nghiên cứu chế tạo diode phát quang sử dụng chấm lượng tử bán dẫn (Q-LED)

Nghiên cứu chế tạo diode phát quang sử dụng chấm lượng tử bán dẫn (Q-LED)

Tác giả: Đinh Quang Chính

Lĩnh vực: Vật lý (Quang học)

Nội dung tài liệu:

Luận văn này trình bày kết quả nghiên cứu về việc chế tạo diode phát quang sử dụng chấm lượng tử bán dẫn (Q-LED). Nghiên cứu tập trung vào việc xây dựng quy trình chế tạo các lớp cấu tạo nên Q-LED, bao gồm màng phát quang, lớp truyền dẫn điện tử/lỗ trống và điện cực. Các phương pháp chế tạo được áp dụng bao gồm quay phủ ly tâm, bốc bay nhiệt và phương pháp hóa học. Đồng thời, luận văn cũng đề cập đến các phương pháp phân tích để đánh giá cấu trúc, hình thái bề mặt, tính chất điện và quang của vật liệu chế tạo.

Mục lục chi tiết:

• Lời cảm ơn
• Mục lục
• Danh mục các ký hiệu và các chữ viết tắt
• Danh mục các bảng
• Danh mục các hình
• Mở đầu
• Chương 1: Tổng quan về tình hình nghiên cứu Q-LED
• 1.1. Sự phát triển của chiếu sáng
• 1.2. Cấu tạo và nguyên lý hoạt động của LED
• 1.3. Cấu tạo và nguyên lý hoạt động của OLED
• 1.4. Cấu tạo và nguyên lý hoạt động của Q-LED
• 1.5. Tình hình nghiên cứu Q-LED
• 1.5.1. Tình hình nghiên cứu trên thế giới
• 1.5.2. Tình hình nghiên cứu trong nước
• Chương 2: Các phương pháp thực nghiệm
• 2.1. Phương pháp chế tạo
• 2.1.1. Phương pháp quay phủ ly tâm (Spin Coating)
• 2.1.2. Phương pháp bốc bay nhiệt
• 2.1.3. Phương pháp hóa học chế tạo chấm lượng tử
• 2.1.4. Phương pháp phún xạ
• 2.2. Phương pháp phân tích
• 2.2.1. Ảnh vi hình thái AFM
• 2.2.2. Phép đo tính chất điện
• 2.2.3. Phép đo tính chất quang
• Chương 3: Kết quả và thảo luận
• 3.1. Điện cực
• 3.1.1. Điện cực dương (Anốt)
• 3.1.2. Điện cực âm (Catốt)
• 3.2. Các lớp trong Q-LED
• 3.2.1. Lớp tiêm lỗ trống
• 3.2.2. Lớp truyền lỗ trống
• 3.2.3. Lớp phát quang
• 3.2.4. Lớp truyền điện tử
• 3.3. Hoàn thiện qui trình nghiên cứu chế tạo Q-LED qui mô phòng thí nghiệm
• Kết luận
• Tài liệu tham khảo