Xem trước tài liệu

Đang tải tài liệu...

Thông tin chi tiết tài liệu

Định dạng: PDF
Số trang: 87 trang
Dung lượng: Đang cập nhật

Giới thiệu nội dung

NGHIÊN CỨU ẢNH HƯỞNG CỦA ĐỘ DÀY THÂN LINH KIỆN TỚI ĐẶC TÍNH ĐIỆN CỦA TRANSISTOR HIỆU ỨNG TRƯỜNG XUYÊN HẦM CÓ CẤU TRÚC LƯỠNG CÔNG

Tác giả: Nguyễn Văn Hào

Lĩnh vực: Vật lý kỹ thuật

Nội dung tài liệu:

Nghiên cứu này tập trung vào việc khảo sát chi tiết ảnh hưởng của độ dày thân linh kiện đến đặc tính hoạt động của transistor hiệu ứng trường xuyên hầm (TFET) có cấu trúc lưỡng cổng. Luận văn đưa ra các giải thích vật lý về những ảnh hưởng này, đồng thời xác định độ dày tối ưu nhằm nâng cao đặc tính điện của linh kiện khi sử dụng các vật liệu bán dẫn và điện môi cực cổng khác nhau, bao gồm Si, Ge và In0.53Ga0.47As. Ngoài ra, nghiên cứu còn xem xét sự phụ thuộc của độ dày thân tối ưu vào cấu trúc điện môi cực cổng dị chất. Đối tượng nghiên cứu là TFET lưỡng cổng, trong đó độ dày thân linh kiện được thay đổi để phân tích ảnh hưởng. Kết quả nghiên cứu sẽ cung cấp hướng dẫn thiết kế độ dày thân linh kiện phù hợp để tối ưu hóa đặc tính hoạt động của TFET lưỡng cổng. Luận văn giới hạn ở mô phỏng hai chiều và tập trung vào việc thiết kế thân linh kiện với các vật liệu đã nêu.

Mục lục chi tiết:

  • MỞ ĐẦU
  • CHƯƠNG 1: TỔNG QUAN TÀI LIỆU
    • 1.1. SỰ PHÁT TRIỂN VỀ CẤU TRÚC CỦA TRANSISTOR
    • 1.2. SƠ LƯỢC VỀ MOSFET
    • 1.3. TẠI SAO PHẢI LÀ TRANSISTOR HIỆU ỨNG TRƯỜNG XUYÊN HẦM
  • CHƯƠNG 2: LÝ THUYẾT VÀ PHƯƠNG PHÁP MÔ PHỎNG
    • 2.1. BÀI TOÁN CHUYỂN ĐỘNG CỦA HẠT TRONG HỐ THẾ HỮU HẠN
    • 2.2. LÝ THUYẾT XUYÊN HẦM QUA VÙNG CẤM
      • 2.2.1. Cơ chế xuyên hầm qua vùng cấm
      • 2.2.2. Mô hình bán cổ điển WKB
      • 2.2.3. Mô hình xuyên hầm hai kênh của Kane
    • 2.3. PHƯƠNG PHÁP MÔ PHỎNG HAI CHIỀU
  • CHƯƠNG 3: KẾT QUẢ VÀ THẢO LUẬN
    • 3.1. CẤU TRÚC LINH KIỆN VÀ HOẠT ĐỘNG
      • 3.1.1. Cấu trúc và cơ chế tắt mở của linh kiện
      • 3.1.2. Đặc tính điện của cấu trúc Si SG-TFET và DG-TFET
    • 3.2. ẢNH HƯỞNG CỦA ĐỘ DÀY THÂN LINH KIỆN
    • 3.3. THIẾT KẾ ĐỘ DÀY THÂN PHỤ THUỘC VÀO VẬT LIỆU
    • 3.4. THIẾT KẾ ĐỘ DÀY THÂN PHỤ THUỘC HẰNG SỐ ĐIỆN MÔI CỰC CỔNG
    • 3.5. THIẾT KẾ CẤU TRÚC ĐIỆN MÔI CỰC CỔNG DỊ CHẤT PHỤ THUỘC VÀO ĐỘ DÀY THÂN
      • 3.5.1. Cấu trúc linh kiện và hoạt động
      • 3.5.2. Chuyển tiếp dị chất phía nguồn
      • 3.5.3. Chuyển tiếp dị chất phía máng
  • KẾT LUẬN VÀ KIẾN NGHỊ
  • DANH MỤC CÔNG TRÌNH CỦA TÁC GIẢ
  • TÀI LIỆU THAM KHẢO