Xem trước tài liệu

Đang tải tài liệu...

Thông tin chi tiết tài liệu

Định dạng: PDF
Số trang: 63 trang
Dung lượng: 1 MB

Giới thiệu nội dung

Khảo Sát Tính Chất Quang Và Điện Của Màng Ain Được Chế Tạo Bằng Phương Pháp Phún Xạ Phản Ứng Dc

Tác giả: Nguyễn Thị Khánh Linh

Lĩnh vực: Vật lý

Nội dung tài liệu:

Luận văn này tập trung vào việc nghiên cứu và chế tạo màng AlN (Aluminium nitride) bằng phương pháp vật lý sử dụng phún xạ DC có phản ứng. Đề tài khảo sát sự ảnh hưởng của các điều kiện chế tạo như áp suất, công suất và nồng độ khí N2 đến cấu trúc, tính chất quang và điện của màng AlN. Các phương pháp khảo sát được áp dụng bao gồm nhiễu xạ tia X (XRD), kính hiển vi điện tử quét (SEM), phép đo phổ truyền qua và hấp thụ UV-Vis, phép đo Raman và đo hiệu ứng Hall. Kết quả nghiên cứu cung cấp dữ liệu về vật liệu AlN, phục vụ cho các nghiên cứu tiếp theo, đặc biệt trong việc chế tạo các màng áp điện cho thiết bị MEMS.

Mục lục chi tiết:

  • Lời cam đoan
  • Lời cảm ơn
  • Danh mục các ký hiệu, các chữ viết tắt
  • Danh mục các bảng
  • Danh mục các hình (hình vẽ, ảnh chụp, đồ thị)
  • Mở đầu
  • Chương 1: Tổng quan
    • 1.1. Hiệu ứng áp điện
    • 1.2. Vật liệu áp điện
    • 1.3. Vật liệu áp điện không chứa chì
    • 1.4. Aluminium Nitride – Nhôm Nitride
    • 1.5. Ứng dụng của hiệu ứng áp điện
    • 1.6. Phương pháp phún xạ
  • Chương 2: Quy trình và thực nghiệm
    • 2.1. Tiến hành chế tạo màng mỏng AlN bằng phương pháp phún xạ phản ứng DC
    • 2.2. Các phương pháp khảo sát vật liệu
  • Chương 3: Kết quả và thảo luận
    • 3.1. Kết quả đo phổ nhiễu xạ tia X
    • 3.2. Tính chất quang của màng mỏng AlN
    • 3.3. Kết quả đo SEM và EDX của màng mỏng AlN
    • 3.4. Tính chất điện của màng mỏng AlN
  • Kết luận
  • Tài liệu tham khảo
  • Phụ lục