Xem trước tài liệu

Đang tải tài liệu...

Thông tin chi tiết tài liệu

Định dạng: PDF
Số trang: 55 trang
Dung lượng: 465 KB

Giới thiệu nội dung

Khảo sát các thông số của hệ phổ kế Gamma với đầu dò bán dẫn Ge siêu tinh khiết (HPGe) GC2018

Tác giả: Trần Thị Thuý Liên

Lĩnh vực: Vật lý hạt nhân

Nội dung tài liệu:

Khóa luận tốt nghiệp này tập trung vào việc khảo sát các thông số kỹ thuật của hệ phổ kế Gamma sử dụng đầu dò bán dẫn Ge siêu tinh khiết (HPGe) GC2018 thuộc Bộ môn Vật lý Hạt nhân. Nghiên cứu bao gồm hai phần chính: Lý thuyết và Thực nghiệm. Phần Lý thuyết trình bày các đặc trưng của phổ kế Gamma, tương tác của photon với đầu dò, cũng như giới thiệu các loại đầu dò bán dẫn Ge. Phần Thực nghiệm đi sâu vào cấu tạo, hoạt động của đầu dò HPGe GC2018, quy trình chuẩn bị và tiến hành đo đạc, cùng với việc khảo sát các thông số quan trọng như chuẩn năng lượng, hiệu suất ghi, độ phân giải năng lượng, phông và giới hạn phát hiện của đầu dò.

Mục lục chi tiết:

  • PHẦN A. LÝ THUYẾT
    • CHƯƠNG I. CÁC ĐẶC TRƯNG CỦA PHỔ KẾ GAMMA VỚI ĐẦU DÒ Ge
      • 1. Cường độ điện trường và hiệu điện thế làm việc
      • 2. Thời gian tăng xung
      • 3. Độ phân giải năng lượng (FWHM)
      • 4. Chuẩn năng lượng
      • 5. Lớp chết của đầu dò
    • CHƯƠNG II. TƯƠNG TÁC PHOTON VỚI ĐẦU DÒ VÀ SỰ HÌNH THÀNH PHỔ
      • 1. Nguyên tắc của sự hình thành phổ
      • 2. Tương tác của photon với đầu dò Ge
        • a. Hiệu ứng quang điện.
        • b. Tán xạ compton.
        • c. Hiệu ứng tạo cặp
    • CHƯƠNG III. GIỚI THIỆU MỘT SỐ LOẠI ĐẦU DÒ BÁN DẪN
      • 1. Đầu dò Ge với năng lượng cực thấp
      • 2. Đầu dò Ge với năng lượng thấp
      • 3. Đầu dò Ge điện cực ngược
      • 4. Đầu dò Ge đồng trục
  • PHẦN B. THỰC NGHIỆM
    • CHƯƠNG I. GIỚI THIỆU VỀ ĐẦU DÒ BÁN DẪN GE SIÊU TINH KHIẾT GC 2018 CỦA BỘ MÔN VẬT LÝ HẠT NHÂN
      • I. Cấu tạo của đầu dò bán dẫn Ge siêu tinh khiết GC 2018
        • 1. Cấu tạo đầu dò HPGe.
        • 2. Các thông số kỹ thuật của đầu dò HPGe
        • 3. Hoạt động của đầu dò HPGe
          • a. Quá trình ion hóa trong tinh thể Ge
          • b. Cấu trúc dải năng lượng của đầu dò bán dẫn Ge
      • II. Các bước chuẩn bị và tiến hành đo
        • 1. Mô tả nguồn.
          • a. Nguồn chuẩn Co-60.
          • b. Nguồn chuẩn Mn-54.
          • c. Nguồn chuẩn Na – 22
          • d. Nguồn chuẩn Cs – 137
        • 2. Cách bố trí thí nghiệm
        • 3. Chế độ đo
    • CHƯƠNG II. KHẢO SÁT CÁC THÔNG SỐ CỦA ĐẦU DÒ GE SIÊU TINH KHIẾT GC 2018 CỦA BỘ MÔN VẬT LÝ HẠT NHÂN
      • I. Chuẩn năng lượng cho hệ đo theo vị trí kênh
        • 1. Mối liên hệ giữa vị trí kênh và năng lượng ghi nhận được.
        • 2. Phương pháp đo
        • 3. Tiến hành thí nghiệm
        • 4. Kết quả
      • II. Khảo sát hiệu suất ghi của đầu dò HPGe
        • 1. Hiệu suất ghi của đầu dò HPGE
          • a. Hiệu suất ghi của đầu dò HPGe
          • b. Hiệu suất ghi tính theo công thức
        • 2. Khảo sát hiệu suất ghi theo năng lượng…
        • 3. Khảo sát hiệu suất theo khoảng cách với nguồn Co-60
        • 4. Khảo sát hiệu suất theo khoảng cách với nguồn chuẩn Cs-137
      • III. Khảo sát độ phân giải năng lượng của đầu dò HPGe
        • 1. Độ phân giải năng lượng
        • 2. Cách tính độ phân giải năng lượng
        • 3. Kết quả
          • a. Kết quả đo
          • b. Đường biểu diễn độ phân giải
      • IV. Khảo sát phông của buồng chì
        • 1. Suất đếm trên toàn phổ
          • a. Tiến hành thí nghiệm khảo sát..
          • b. Kết quả
        • 2. Suất đếm theo đỉnh năng lượng
          • a. Tiến hành thí nghiệm khảo sát…..
      • V. Giới hạn phát hiện của đầu dò
        • 1. Mức giới hạn Lc
        • 2. Giới hạn dưới của đầu dò
        • 3. Giới hạn phát hiện
        • 4. Tính giới hạn phát hiện ap và giới hạn đo LD
  • PHẦN C. KẾT LUẬN
  • PHẦN D. PHỤ LỤC
  • TÀI LIỆU THAM KHẢO