Luận văn Thạc sĩ Khoa học: Hấp thụ phi tuyến sóng điện từ mạnh biến điệu theo biên độ bởi điện tử giam cầm trong hố lượng tử

HẤP THỤ PHI TUYẾN SÓNG ĐIỆN TỪ MẠNH BIẾN ĐIỆU THEO BIÊN ĐỘ BỞI ĐIỆN TỬ GIAM CẦM TRONG HỐ LƯỢNG TỬ

Tác giả: ĐỖ TUẤN LONG

Lĩnh vực: Vật lý lý thuyết & vật lý toán

Nội dung tài liệu:

Luận văn này tập trung nghiên cứu về hiện tượng hấp thụ phi tuyến của sóng điện từ mạnh biến điệu theo biên độ bởi điện tử giam cầm trong hố lượng tử. Nghiên cứu đề cập đến việc xây dựng mô hình lý thuyết, sử dụng phương pháp phương trình động lượng tử để phân tích và tính toán hệ số hấp thụ. Các kết quả thu được cho thấy sự phụ thuộc của hệ số hấp thụ vào các yếu tố như cường độ và tần số của sóng điện từ, nhiệt độ, cũng như các tham số cấu trúc của hố lượng tử. Đặc biệt, luận văn nhấn mạnh hiện tượng mới và khác biệt so với hấp thụ sóng điện từ không biến điệu.

Mục lục chi tiết:

• MỞ ĐẦU
• CHƯƠNG 1: TỔNG QUAN VỀ HỐ LƯỢNG TỬ VÀ LÝ THUYẾT LƯỢNG TỬ VỀ HẤP THỤ SÓNG ĐIỆN TỪ MẠNH BIẾN ĐIỆU THEO BIÊN ĐỘ BỞI ĐIỆN TỬ TỰ DO TRONG BÁN DẪN KHỐI
• 1.1. Tổng quan về hố lượng tử
• 1.2. Lý thuyết lượng tử về hấp thụ sóng điện từ mạnh biến điệu theo biên độ bởi điện tử tự do trong bán dẫn khối
• CHƯƠNG 2: HỆ SỐ HẤP THỤ PHI TUYẾN SÓNG ĐIỆN TỪ MẠNH BIẾN ĐIỆU THEO BIÊN ĐỘ BỞI ĐIỆN TỬ GIAM CẦM TRONG HỐ LƯỢNG TỬ
• 2.1. Phương trình động lượng tử cho điện tử trong hố lượng tử khi có mặt sóng điện từ mạnh biến điệu theo biên độ
• 2.2. Hệ số hấp thụ phi tuyến sóng điện từ mạnh biến điệu theo biên độ bởi điện tử giam cầm trong hố lượng tử
• CHƯƠNG 3: TÍNH TOÁN SỐ, VẼ ĐỒ THỊ TRONG TRƯỜNG HỢP HỐ LƯỢNG TỬ AlAs/GaAs/AlAs VÀ BÀN LUẬN
• 3.1. Sự phụ thuộc của hệ số hấp thụ vào tần số sóng điện từ
• 3.2. Sự phụ thuộc của hệ số hấp thụ vào cường độ sóng điện từ
• 3.3. Sự phụ thuộc của hệ số hấp thụ vào nhiệt độ
• 3.4. Sự phụ thuộc của hệ số hấp thụ vào bề rộng hố lượng tử
• KẾT LUẬN
• DANH MỤC TÀI LIỆU THAM KHẢO
• PHỤ LỤC