Xem trước tài liệu

Đang tải tài liệu...

Thông tin chi tiết tài liệu

Định dạng: PDF
Số trang: 102 trang
Dung lượng: Đang cập nhật

Giới thiệu nội dung

Đánh giá Vai trò và Thiết kế Lớp Điện Môi Cực Cổng Dị Cấu Trúc trong các Transistor Hiệu Ứng Trường Xuyên Hầm Có Cấu Trúc Khác Nhau

Tác giả: Huỳnh Thị Hồng Thắm

Lĩnh vực: Vật lý kỹ thuật

Nội dung tài liệu:

Luận văn này tập trung nghiên cứu về transistor hiệu ứng trường xuyên hầm (TFET), một linh kiện tiềm năng cho các ứng dụng mạch tích hợp công suất thấp. Các nghiên cứu trước đây cho thấy TFET có độ dốc dưới ngưỡng (SS) nhỏ hơn nhiều so với MOSFET, hứa hẹn giảm điện áp ngưỡng, đảm bảo dòng mở và duy trì dòng rò thấp. Tuy nhiên, dòng mở của TFET còn hạn chế do cơ chế xuyên hầm và cách thức xuyên hầm ở trạng thái mở chỉ diễn ra ở góc nhỏ của cực nguồn. Để cải thiện dòng mở, luận văn này đề xuất nghiên cứu vai trò và thiết kế lớp điện môi cực cổng dị cấu trúc (hetero-gate-dielectric) trong các cấu trúc TFET khác nhau. Kỹ thuật này được kỳ vọng sẽ tăng đáng kể dòng điện mở đồng thời làm giảm dòng rò lưỡng cực, bằng cách tạo ra một giếng thế định xứ tại vị trí mối nối dị cấu trúc. Luận văn khám phá ảnh hưởng của các tham số thiết kế như vị trí mối nối dị cấu trúc và tỷ số hằng số điện môi cao/thấp của vật liệu điện môi tới đặc tính điện của các loại TFET khác nhau, bao gồm cấu trúc xuyên hầm điểm, xuyên hầm đường, cấu trúc khối và cấu trúc thân mỏng lưỡng cổng. Nghiên cứu sử dụng phần mềm mô phỏng hai chiều MEDICI để phân tích đặc tính của linh kiện. Mục tiêu chính là đánh giá vai trò của điện môi cực cổng dị cấu trúc và đề xuất các tham số thiết kế tối ưu nhằm nâng cao đặc tính tắt-mở của các loại TFET.

Mục lục chi tiết:

  • Mở đầu
  • Chương 1: Tổng quan tài liệu
  • Chương 2: Sơ lược về mô hình xuyên hầm qua vùng cấm và phần mềm mô phỏng hai chiều
  • Chương 3: Kết quả và thảo luận
  • Chương 4: Kết luận và kiến nghị