Luận văn Thạc sĩ Vật lí: Chế tạo và nghiên cứu tính chất điện, quang của màng mỏng SiGe ứng dụng trong pin mặt trời thế hệ hai

Chế tạo và nghiên cứu tính chất điện, quang của màng mỏng SiGe ứng dụng trong pin mặt trời thế hệ hai

Tác giả: Lê Xuân Hiếu

Lĩnh vực: Vật lý

Nội dung tài liệu:
Luận văn thạc sĩ này tập trung vào việc chế tạo và nghiên cứu tính chất điện, quang của màng mỏng SiGe, một loại vật liệu tiềm năng ứng dụng trong pin mặt trời thế hệ hai. Nghiên cứu này xuất phát từ nhu cầu về năng lượng tái tạo và những hạn chế của vật liệu Si truyền thống. Luận văn khám phá khả năng điều chỉnh cấu trúc vùng năng lượng của vật liệu lai hóa SiGe để tăng cường hiệu suất hấp thụ ánh sáng và chuyển đổi quang điện. Các phương pháp thực nghiệm như phún xạ, xử lý nhiệt, cùng các kỹ thuật phân tích như nhiễu xạ tia X, phổ tán xạ Raman, hiển vi điện tử đã được áp dụng để khảo sát cấu trúc, tính chất vật lý và hóa học của vật liệu. Kết quả nghiên cứu hướng tới việc tối ưu hóa quy trình chế tạo và thành phần vật liệu để đạt được hiệu suất cao cho pin mặt trời.

Mục lục chi tiết:

• Lời cam đoan
• Lời cảm ơn
• Mục lục
• Danh mục các chữ viết tắt và ký hiệu
• Danh mục các bảng
• Danh mục các đồ thị và hình vẽ
• Mở đầu
• Chương 1. Tổng quan về vật liệu bán dẫn Si và Ge
• Chương 2. Thực nghiệm
• Chương 3. Kết quả và thảo luận
• Kết luận
• Tài liệu tham khảo