Xem trước tài liệu

Đang tải tài liệu...

Thông tin chi tiết tài liệu

Định dạng: PDF
Số trang: 13 trang
Dung lượng: 251 KB

Giới thiệu nội dung

Ảnh hưởng của phonon giam cầm lên hiệu ứng radio điện trong dây lượng tử hình chữ nhật với thế cao vô hạn (cơ chế tán xạ điện tử – phonon quang)

Tác giả: NGUYỄN THỊ KIM LAN

Lĩnh vực: Vật lý lý thuyết và vật lý toán

Nội dung tài liệu:
Luận văn này tập trung nghiên cứu về ảnh hưởng của phonon giam cầm lên hiệu ứng radio điện trong dây lượng tử hình chữ nhật với thế cao vô hạn, xem xét cơ chế tán xạ điện tử – phonon quang. Nghiên cứu sử dụng phương pháp phương trình động lượng tử để xây dựng Hamiltonion của hệ điện tử – phonon quang giam cầm, từ đó suy ra phương trình động lượng tử cho điện tử. Luận văn cũng trình bày biểu thức mật độ dòng và biểu thức giải tích của cường độ trường radio – điện. Bên cạnh đó, công trình còn thực hiện tính toán số và vẽ đồ thị minh họa cho dây lượng tử hình chữ nhật với thế cao vô hạn của GaAs/GaAsAl, nhằm làm rõ hơn ảnh hưởng của phonon giam cầm đến hiệu ứng radio điện. Các kết quả thu được được đánh giá là mới và có giá trị khoa học, đóng góp vào sự phát triển lý thuyết về hiệu ứng radio – điện trong các hệ bán dẫn thấp chiều.

Mục lục chi tiết:

  • MỞ ĐẦU
  • Chương 1: Dây lượng tử và lý thuyết lượng tử về hiệu ứng radio điện trong bán dẫn khối
    • 1.1. Dây lượng tử
    • 1.2. Lý thuyết lượng tử về hiệu ứng radio điện trong bán dẫn khối
  • Chương 2: Hiệu ứng radio điện trong dây lượng tử hình chữ nhật với thế cao vô hạn dưới ảnh hưởng của phonon quang giam cầm
    • 2.1. Hamiltonion của điện tử – phonon quang giam cầm trong dây lượng tử hình chữ nhật với thế cao vô hạn
    • 2.2. Phương trình động lượng tử cho điện tử trong dây lượng tử hình chữ nhật
    • 2.3. Biểu thức mật độ dòng radio-điện toàn phần qua dây lượng tử hình chữ nhật
    • 2.4. Biểu thức giải tích cho cường độ trường radio – điện trong dây lượng tử hình chữ nhật
  • Chương 3: Tính toán số và vẽ đồ thị kết quả lý thuyết cho dây lượng tử hình chữ nhật với thế cao vô hạn của GaAs/GaAsAl
    • 3.1. Sự phụ thuộc của thành phần Eox vào tần số Ω của bức xạ
    • 3.2. Sự phụ thuộc của thành phần Eox vào tần số ω của trường điện từ phân cực thẳng
  • TÀI LIỆU THAM KHẢO
  • PHỤ LỤC