Xem trước tài liệu

Đang tải tài liệu...

Thông tin chi tiết tài liệu

Định dạng: PDF
Số trang: 86 trang
Dung lượng: Đang cập nhật

Giới thiệu nội dung

Chế tạo màng mỏng Si3N4, SiO2 và màng treo Si3N4 bằng phương pháp lắng đọng hơi hóa học tăng cường plasma

Tác giả: Phạm Thị Hồng

Lĩnh vực: Vật Lý Chất Rắn

Nội dung tài liệu:

Luận văn này tập trung vào việc nghiên cứu chế tạo màng mỏng Silicon Nitride (Si3N4) và Silicon Dioxide (SiO2), cũng như màng treo siêu mỏng Si3N4. Phương pháp chính được áp dụng là lắng đọng hơi hóa học tăng cường plasma (PECVD). Nghiên cứu nhằm mục đích xác định điều kiện lắng đọng và ăn mòn khô tối ưu cho các loại màng này, làm tiền đề cho việc chế tạo màng treo. Các kết quả thu được sẽ góp phần ứng dụng trong các thiết bị vi cơ điện tử (MEMS), đặc biệt là vi thiết bị điện làm lạnh và cảm biến. Luận văn cũng đề cập đến tổng quan về cấu trúc, tính chất và ứng dụng của các loại màng này, cùng với các phương pháp chế tạo phổ biến hiện nay.

Mục lục chi tiết:

  • Chương I: Tổng quan
  • Chương II: Thực nghiệm và các phương pháp nghiên cứu
  • Chương III: Kết quả và thảo luận
  • Kết luận
  • Hướng nghiên cứu tiếp theo
  • Các công trình công bố trong luận văn thạc sĩ
  • Tài liệu tham khảo