Xem trước tài liệu

Đang tải tài liệu...

Thông tin chi tiết tài liệu

Định dạng: PDF
Số trang: 117 trang
Dung lượng: Đang cập nhật

Giới thiệu nội dung

Mô Phỏng Transistor Ống Nanô Carbon Đồng Trục

Tác giả: Nguyễn Thị Lưỡng

Lĩnh vực: Vật lý vô tuyến và điện tử

Nội dung tài liệu:

Luận án này tập trung vào việc nghiên cứu mô phỏng transistor trường ống nanô carbon đồng trục (CNTFET). Nghiên cứu khám phá khả năng của CNTFET như một thiết bị thay thế tiềm năng cho transistor MOSFET truyền thống, đặc biệt trong bối cảnh ngành công nghiệp bán dẫn đang nỗ lực thu nhỏ kích thước linh kiện. Luận án sử dụng thuật toán hàm Green không cân bằng (NEGF) kết hợp với Matlab để xây dựng mô hình, phân tích và biểu diễn các đặc trưng dòng điện-điện áp (I-V) của CNTFET đồng trục. Các yếu tố ảnh hưởng đến hiệu suất của thiết bị, bao gồm vật liệu điện cực, chiều dài kênh dẫn, đường kính ống nanô carbon, vật liệu điện môi, nhiệt độ hoạt động và điện áp cổng/nguồn, đều được xem xét.

Ngoài ra, luận án còn đề cập đến mô phỏng CNTFET có tính đến tán xạ điện tử-phonon, xây dựng biểu thức quan hệ dòng-điện áp, và đề xuất quy trình chế tạo CNTFET phẳng.

Mục lục chi tiết:

  • Mở đầu
  • Chương 1: Tổng quan
  • Chương 2: Transistor trường ống nanô carbon
  • Chương 3: Thuật toán hàm Green không cân bằng (NEGF) trong mô phỏng các đặc trưng của CNTFET đồng trục
  • Chương 4: Kết quả mô phỏng
  • Chương 5: Đề xuất thực nghiệm
  • Kết luận
  • Tài liệu tham khảo