Luận án: Tính chất điện tử và các đặc trưng tiếp xúc trong cấu trúc xếp lớp van der Waals dựa trên MA2Z4 (M = kim loại chuyển tiếp; A = Si, Ge; Z = N, P)

Tính chất điện tử và các đặc trưng tiếp xúc trong cấu trúc xếp lớp van der Waals dựa trên MA₂Z₄ (M = kim loại chuyển tiếp; A = Si, Ge; Z = N, P)

Tác giả: NGUYỄN QUANG CƯỜNG

Lĩnh vực: Vật lý lý thuyết và vật lý toán

Nội dung tài liệu:

Luận án này tập trung nghiên cứu tính chất điện tử và sự hình thành tiếp xúc giữa các đơn lớp trong các cấu trúc dị thể van der Waals (vdW). Cụ thể, nghiên cứu này tập trung vào các dị cấu trúc được xây dựng từ họ vật liệu MA₂Z₄, bao gồm các cấu trúc kim loại-bán dẫn như MoSH/MoSi₂N₄, GR/MoGeSiN₄ và các cấu trúc bán dẫn-bán dẫn như BP/MoGe₂N₄, C₃N₄/MoSi₂N₄. Phương pháp lý thuyết phiếm hàm mật độ (DFT) được sử dụng để thực hiện các tính toán, bao gồm việc xây dựng cấu trúc tinh thể, khảo sát độ ổn định, tính toán cấu trúc vùng năng lượng, sự dịch chuyển điện tích và hình thành rào thế tiếp xúc. Luận án cũng đánh giá ảnh hưởng của biến dạng cơ học và điện trường ngoài lên tính chất điện tử và loại tiếp xúc trong các cấu trúc dị thể này.

Mục lục chi tiết:

• Lời cam đoan
• Lời cảm ơn
• Danh mục các từ viết tắt
• Danh mục một số kí hiệu
• Danh sách các bảng
• Danh sách hình vẽ
• Phần mở đầu
• Phần nội dung:
• Chương 1: Tổng quan về các dị cấu trúc van der Waals của các vật liệu hai chiều và phương pháp lý thuyết phiếm hàm mật độ
• Chương 2: Các tính chất điện tử và sự hình thành tiếp xúc trong cấu trúc dị thể van der Waals giữa họ MA₂Z₄ và kim loại hai chiều
• Chương 3: Tính chất điện tử và sự hình thành tiếp xúc trong cấu trúc dị thể van der Waals giữa họ MA₂Z₄ và vật liệu bán dẫn
• Chương 4: Ảnh hưởng của điện trường ngoài và biến dạng đến sự thay đổi tính chất điện tử và hiệu ứng tiếp xúc trong các cấu trúc dị thể van der Waals
• Kết luận chung
• Tài liệu tham khảo
• Danh mục các công bố liên quan đến luận án