Luận văn: Nghiên Cứu Vật Lý Linh Kiện Và Thiết Kế Transistor Hiệu Ứng Trường Xuyên Hầm Có Cấu Trúc Pha Tạp Đối Xứng

Tác giả: Trần Thị Kim Anh

Lĩnh vực: Vật Lý Kỹ Thuật

Nội dung tài liệu:

Luận văn tập trung vào việc nghiên cứu vật lý linh kiện và thiết kế các Transistor Hiệu Ứng Trường Xuyên Hầm (TFET) có cấu trúc pha tạp đối xứng. Khác với MOSFET truyền thống hoạt động dựa trên cơ chế khuếch tán nhiệt, TFET khai thác cơ chế xuyên hầm qua vùng cấm để đạt được độ dốc dưới ngưỡng nhỏ hơn, hứa hẹn cho các ứng dụng công suất thấp. Nghiên cứu đề xuất và phân tích chi tiết TFET pha tạp đối xứng, tập trung vào việc tăng dòng dẫn, giảm dòng rò, và khảo sát các hiệu ứng như hiệu ứng cực cổng ngắn và hiệu ứng chuyển tiếp cực máng hẹp. Đề tài cũng đề cập đến việc tối ưu hóa thiết kế linh kiện và mở rộng ứng dụng sang cơ chế xuyên hầm đường. Đối tượng nghiên cứu bao gồm cả vật liệu Silicon và Germanium, sử dụng mô phỏng hai chiều với phần mềm MEDICI để phân tích đặc tính điện.

Mục lục chi tiết:

• MỤC LỤC
• MỞ ĐẦU
• CHƯƠNG 1: TỔNG QUAN TÀI LIỆU
• 1.1. GIỚI THIỆU VỀ LINH KIỆN ĐIỆN TỬ
• 1.2. TRANSISTOR HIỆU ỨNG TRƯỜNG XUYÊN HẦM
• 1.3. TFET CÓ CẤU TRÚC PHA TẠP ĐỐI XỨNG
• CHƯƠNG 2: MÔ HÌNH VẬT LÝ VÀ PHẦN MỀN MÔ PHỎNG
• 2.1 MÔ HÌNH XUYÊN HẦM QUA VÙNG CẤM CỦA KANE
• 2.1.1 Cơ chế xuyên hầm qua vùng cấm
• 2.1.2 Mô hình Kane cho xuyên hầm qua vùng cấm
• 2.1.3 Thông lượng của electron
• 2.1.4 Tốc độ xuyên hầm
• 2.2 PHẦN MỀN MÔ PHỎNG MEDICI
• CHƯƠNG 3: KẾT QUẢ VÀ THẢO LUẬN
• 3.1. CẤU TRÚC LINH KIỆN VÀ CƠ CHẾ HOẠT ĐỘNG
• 3.2. NÂNG CAO ĐẶC TÍNH HOẠT ĐỘNG CỦA TFET ĐỐI XỨNG
• 3.2.1. Ảnh hưởng của nồng độ pha tạp máng
• 3.2.2. Ảnh hưởng của khoảng cách từ cực máng đến lớp oxit cổng
• 3.3. HIỆU ỨNG CHUYỂN TIẾP CỰC MÁNG HẸP
• 3.4. ẢNH HƯỞNG CỦA KHOẢNG CÁCH MÁNG-NGUỒN
• 3.5. HIỆU ỨNG CỰC CỔNG NGẮN
• 3.6. CẤU TRÚC CHỮ Y
• KẾT LUẬN VÀ KIẾN NGHỊ
• CÔNG TRÌNH ĐÃ CÔNG BỐ LIÊN QUAN ĐẾN LUẬN VĂN
• TÀI LIỆU THAM KHẢO