Xem trước tài liệu

Đang tải tài liệu...

Thông tin chi tiết tài liệu

Định dạng: PDF
Số trang: 144 trang
Dung lượng: 2 MB

Giới thiệu nội dung

Nghiên cứu mô phỏng và công nghệ chế tạo transistor có độ linh động điện tử cao dựa trên GaN

Tác giả: NGUYỄN TRUNG ĐÔ

Lĩnh vực: Vật lý kỹ thuật

Nội dung tài liệu:
Luận án này tập trung vào việc nghiên cứu sâu về vật liệu bán dẫn vùng cấm rộng GaN và các linh kiện HEMT dựa trên vật liệu này. Đề tài khám phá các khía cạnh từ mô phỏng vật liệu và thiết bị, đến quy trình công nghệ chế tạo linh kiện GaN HEMT, bao gồm cả việc phát triển công nghệ chế tạo màng vật liệu high-k cho cấu trúc MOS HEMT. Mục tiêu là phát triển các linh kiện có độ linh động điện tử cao, đáp ứng nhu cầu ngày càng tăng của các ứng dụng điện tử công suất hiện đại, với các ưu điểm vượt trội so với vật liệu Silic truyền thống về tần số hoạt động cao, điện áp đánh thủng lớn và khả năng chịu nhiệt độ cao. Luận án cũng đề cập đến các vấn đề còn tồn tại trong công nghệ GaN HEMT hiện tại, như sai lệch cấu trúc mạng tinh thể và điện trở tiếp xúc, đồng thời đề xuất các giải pháp để khắc phục.

Mục lục chi tiết:

  • Lời cam đoan
  • Lời cảm ơn
  • Danh mục hình vẽ
  • Danh mục bảng
  • Danh mục ký tự viết tắt
  • Đặt vấn đề
  • Chương 1: Tổng quan về bán dẫn GaN và linh kiện GaN HEMT
  • Chương 2: Mô phỏng vật liệu GaN và linh kiện GaN HEMT
  • Chương 3: Nghiên cứu công nghệ chế tạo linh kiện HEMT
  • Chương 4: Nghiên cứu chế tạo cấu trúc MOS-HEMT sử dụng lớp điện môi high-k
  • Kết luận chung
  • Danh mục các công trình đã công bố của luận án
  • Tài liệu tham khảo