Xem trước tài liệu

Đang tải tài liệu...

Thông tin chi tiết tài liệu

Định dạng: PDF
Số trang: 53 trang
Dung lượng: 1 MB

Giới thiệu nội dung

Ảnh Hưởng Của Phonon Giam Cầm Lên Hiệu Ứng Radio – Điện Trong Siêu Mạng Hợp Phần Với Cơ Chế Tán Xạ Điện Tử – Phonon Âm

Tác giả: Nguyễn Thị Len

Lĩnh vực: Vật lý lý thuyết – Vật lý Toán

Nội dung tài liệu:

Luận văn thạc sĩ này tập trung nghiên cứu ảnh hưởng của phonon giam cầm lên hiệu ứng radio – điện trong siêu mạng hợp phần, sử dụng cơ chế tán xạ điện tử – phonon âm. Nghiên cứu này dựa trên lý thuyết hiệu ứng radio – điện trong bán dẫn khối, với mục tiêu thu nhận biểu thức giải tích của điện trường và khảo sát sự ảnh hưởng của các thông số lên cường độ điện trường của siêu mạng. Kết quả nghiên cứu nhằm đóng góp vào sự hiểu biết về các hiệu ứng vật lý trong vật liệu thấp chiều, thúc đẩy sự phát triển khoa học cơ bản.

Phương pháp nghiên cứu chính bao gồm phương pháp phương trình động lượng tử và sử dụng chương trình Matlab để tính toán số và vẽ đồ thị. Phạm vi nghiên cứu tập trung vào sự phụ thuộc của trường radio – điện vào cường độ, tần số của sóng điện từ mạnh, tần số sóng điện từ phân cực phẳng, và chỉ số giam cầm của phonon m, áp dụng cho siêu mạng hợp phần GaAs/Al0.3Ga0.7As.

Luận văn cấu trúc gồm 3 chương chính: “Siêu mạng hợp phần và hiệu ứng radio – điện trong bán dẫn khối”; “Hiệu ứng radio – điện trong siêu mạng hợp phần dưới ảnh hưởng của phonon âm giam cầm”; và “Tính toán số và vẽ đồ thị cho siêu mạng hợp phần GaAs – Al0.7Ga0.3As”.

Mục lục chi tiết:

  • Mở đầu
  • Chương 1: Siêu mạng hợp phần và hiệu ứng radio – điện trong bán dẫn khối
  • Chương 2: Hiệu ứng radio – điện trong siêu mạng hợp phần dưới ảnh hưởng của phonon âm giam cầm
  • Chương 3: Tính toán số và vẽ đồ thị cho siêu mạng hợp phần GaAs – Al0.3Ga0.7As
  • Kết luận
  • Tài liệu tham khảo
  • Phụ lục