Xem trước tài liệu

Đang tải tài liệu...

Thông tin chi tiết tài liệu

Định dạng: PDF
Số trang: 50 trang
Dung lượng: 514 KB

Giới thiệu nội dung

Lý Thuyết Phiếm Hàm Mật Độ Và Các Cách Tiếp Cận Khi Nghiên Cứu Bán Dẫn

Tác giả: Nguyễn Văn Hưng

Lĩnh vực: Vật lý lý thuyết

Nội dung tài liệu:

Khóa luận tốt nghiệp đại học này tập trung vào việc tìm hiểu sâu về Lý thuyết phiếm hàm mật độ (DFT) và các phương pháp tiếp cận khi nghiên cứu vật liệu bán dẫn. Lý thuyết này đã cách mạng hóa lĩnh vực tính toán mô phỏng, cho phép mô tả chính xác các tính chất vật lý của hệ electron trong nguyên tử, phân tử và vật rắn.

Nội dung khóa luận bao gồm hai chương chính. Chương 1 trình bày về cấu trúc tinh thể của vật liệu bán dẫn, bao gồm các khái niệm về mạng tinh thể, đối xứng tinh thể, nhóm điểm, nhóm không gian, chỉ số Miller và định luật nhiễu xạ Vulf-Bragg. Chương 2 đi sâu vào Lý thuyết phiếm hàm mật độ, các phương trình Kohn-Sham, phép đo gần đúng mật độ địa phương, cũng như các cách tiếp cận lý thuyết DFT khi nghiên cứu bán dẫn như phương pháp sóng phẳng, giả thế siêu mềm, cách tiếp cận điện môi và các phonon đông lạnh.

Khóa luận được thực hiện với mục đích tìm hiểu sâu về lý thuyết phiếm hàm mật độ và các kỹ thuật tính toán để nghiên cứu các tính chất vi mô của vật liệu bán dẫn, đóng góp vào việc làm rõ hơn về lý thuyết này cho tác giả và người đọc.

Mục lục chi tiết:

  • MỞ ĐẦU
  • CHƯƠNG 1: CẤU TRÚC TINH THỂ CỦA BÁN DẪN
  • CHƯƠNG 2: LÝ THUYẾT PHIẾM HÀM MẬT ĐỘ VÀ CÁC CÁCH TIẾP CẬN KHI NGHIÊN CỨU BÁN DẪN
  • KẾT LUẬN
  • TÀI LIỆU THAM KHẢO