Xem trước tài liệu

Đang tải tài liệu...

Thông tin chi tiết tài liệu

Định dạng: PDF
Số trang: 28 trang
Dung lượng: 468 KB

Giới thiệu nội dung

Nghiên Cứu Mô Phỏng Và Công Nghệ Chế Tạo Transistor Có Độ Linh Động Điện Tử Cao Dựa Trên GaN

Tác giả: Nguyễn Trung Đô

Lĩnh vực: Vật lý kỹ thuật

Nội dung tài liệu:
Luận án tiến sĩ này tập trung nghiên cứu về vật liệu bán dẫn GaN và các linh kiện dựa trên GaN, đặc biệt là transistor có độ linh động điện tử cao (HEMT). Nghiên cứu này nhằm mục đích mô phỏng và chế tạo các linh kiện HEMT trên nền GaN, khắc phục những hạn chế của vật liệu silicon truyền thống. Luận án đi sâu vào việc tìm hiểu tổng quan về vật liệu GaN và linh kiện GaN HEMT, thiết kế và tối ưu hóa cấu trúc linh kiện, phát triển quy trình công nghệ chế tạo điện cực và màng vật liệu high-k cho cấu trúc MOS HEMT. Các phương pháp nghiên cứu bao gồm mô phỏng, mô hình hóa vật liệu và linh kiện, cũng như thực nghiệm chế tạo. Kết quả nghiên cứu được kỳ vọng sẽ đóng góp vào sự phát triển của các ứng dụng điện tử công suất, đáp ứng nhu cầu ngày càng cao về năng lượng và công nghệ.

Mục lục chi tiết:

  • Chương 1: Tổng quan về vật liệu bán dẫn GaN và linh kiện GaN HEMT
  • Chương 2: Mô phỏng vật liệu GaN và linh kiện HEMT
  • Chương 3: Nghiên cứu công nghệ chế tạo linh kiện HEMT
  • Chương 4: Nghiên cứu chế tạo cấu trúc MOS – HEMT sử dụng lớp điện môi high-k