Nghiên cứu khuếch tán đồng thời tạp chất và sai hỏng điểm trong silic

Nghiên Cứu Khuếch Tán Đồng Thời Tạp Chất Và Sai Hỏng Điểm Trong Silic

Tác giả: Vũ Bá Dũng

Lĩnh vực: Vật lý chất rắn

Nội dung tài liệu:

Luận án này tập trung nghiên cứu sâu về quá trình khuếch tán đồng thời tạp chất và sai hỏng điểm trong vật liệu bán dẫn Silic. Nghiên cứu xem xét các khía cạnh lý thuyết và thực nghiệm, bao gồm tính chất cơ bản của Silic, các cơ chế khuếch tán, ảnh hưởng của sai hỏng điểm đến quá trình này, và sự tương thích giữa các định luật khuếch tán. Luận án phát triển các mô hình toán học, xây dựng hệ phương trình khuếch tán đồng thời, và áp dụng phương pháp giải số để tìm ra phân bố của tạp chất và sai hỏng điểm theo chiều sâu và thời gian. Ngoài ra, công trình còn thực hiện mô phỏng quá trình khuếch tán động, nhằm lý giải các hiện tượng khuếch tán dị thường và đóng góp vào việc cải thiện công nghệ chế tạo linh kiện bán dẫn chính xác hơn, đặc biệt ở các kích thước nano.

Mục lục chi tiết:

• Lời cam đoan
• Lời cảm ơn
• Mục lục
• Danh mục các ký hiệu và chữ viết tắt
• Danh mục các bảng số liệu
• Danh mục các hình vẽ và đồ thị
• Mở đầu
• Chương I: Một số vấn đề tổng quan
• Chương II: Sự tương thích giữa định luật Onsager và định luật Fick
• Chương III: Hệ phương trình khuếch tán đồng thời B và sai hỏng điểm trong Si
• Chương IV: Lời giải số hệ phương trình khuếch tán đồng thời B và sai hỏng điểm trong Si
• Chương V: Mô phỏng quá trình khuếch tán động của B và sai hỏng điểm trong Si
• Kết luận
• Các công trình khoa học đã công bố
• Tài liệu tham khảo
• Phụ lục