Tóm tắt luận văn Thạc sĩ Khoa học: Ảnh hưởng của phonon giam cầm lên hiệu ứng radio – điện trong siêu mạng pha tạp với cơ chế tán xạ điện tử – phonon âm

Ảnh hưởng của Phonon Giam Cầm Lên Hiệu Ứng Radio – Điện Trong Siêu Mạng Pha Tạp Với Cơ Chế Tán Xạ Điện Tử – Phonon Âm

Tác giả: Phạm Ngọc Thắng

Lĩnh vực: Vật lý lý thuyết và vật lý toán

Nội dung tài liệu:

Luận văn này tập trung nghiên cứu ảnh hưởng của phonon giam cầm lên hiệu ứng radio – điện trong siêu mạng pha tạp, sử dụng cơ chế tán xạ điện tử – phonon âm. Nghiên cứu khai thác phương pháp phương trình động lượng tử và sử dụng Matlab để tính toán và biểu diễn kết quả. Luận văn thiết lập biểu thức giải tích cho cường độ trường radio – điện, cho thấy sự phụ thuộc phức tạp vào tần số sóng điện từ, bức xạ laser, biên độ bức xạ laser và chỉ số m đặc trưng cho sự giam cầm của phonon. Các kết quả lý thuyết được tính toán số và vẽ đồ thị cho siêu mạng pha tạp n-GaAs/p-GaAs, chỉ ra sự khác biệt so với trường hợp không xét đến sự giam cầm của phonon.

Mục lục chi tiết:

• Mở đầu
• Chương 1: Siêu mạng pha tạp và lý thuyết lượng tử về hiệu ứng radio – điện trong siêu mạng pha tạp khi không kể đến sự giam cầm của phonon.
  • 1.1 Siêu mạng pha tạp
    • 1.1.1 Khái niệm về siêu mạng pha tạp.
    • 1.1.2 Hàm sóng và phổ năng lượng của điện tử giam cầm trong siêu mạng pha tạp.
  • 1.2 Lý thuyết lượng tử về hiệu ứng radio điện trong siêu mạng pha tạp khi không kể đến sự giam cầm của phonon
    • 1.2.1.Hamiltonian của điện tử – phonon trong siêu mạng pha tạp
    • 1.2.2.Phương trình động lượng tử cho điện tử
    • 1.2.3. Biểu thức mật độ dòng toàn phần
    • 1.2.4. Biểu thức giải tích cho cường độ điện trường
• Chương 2: Phương trình động lượng tử cho điện tử và hiệu ứng radio – điện trong siêu mạng pha tạp khi có ảnh hưởng của phonon giam cầm với cơ chế tán xạ điện tử – phonon âm.
• Chương 3: Tính toán số và vẽ đồ thị kết quả lý thuyết cho siêu mạng pha tạp n-GaAs/p-GaAs
• Kết luận
• Tài liệu tham khảo
• Phụ lục
• Danh mục hình vẽ