Multiple Wavelength InGaAs Quantum Dot Lasers Using Ion Implantation Induced Intermixing

Multiple Wavelength InGaAs Quantum Dot Lasers Using Ion Implantation Induced Intermixing

Tác giả: S. Mokkapati, Sichao Du, M. Buda, L. Fu, H. H. Tan, C. Jagadish

Lĩnh vực: Kỹ thuật điện, Khoa học vật liệu

Nội dung tài liệu:

Nghiên cứu này trình bày việc chế tạo các bộ dao phát laser chấm lượng tử InGaAs đa bước sóng thông qua kỹ thuật intermixing cảm ứng cấy ion. Quá trình cấy proton, sau đó là ủ nhiệt, được áp dụng để tạo ra sự khuếch tán vi sai trong vùng hoạt động của thiết bị. Các đặc tính của bộ dao phát đa bước sóng, bao gồm phổ phát xạ, dòng ngưỡng và hiệu suất dốc, được so sánh với các thiết bị chưa qua xử lý. Sự khác biệt được giải thích dựa trên sự thay đổi khoảng cách mức năng lượng trong các chấm lượng tử đã ủ.

Kỹ thuật intermixing cảm ứng cấy ion, tương thích với quy trình xử lý phẳng, là một phương pháp hiệu quả để điều chỉnh khoảng cách năng lượng vùng cấm, điều cần thiết cho việc tích hợp thiết bị. Nghiên cứu này tập trung vào việc trình bày sự dịch chuyển khoảng cách năng lượng vùng cấm vi sai và ảnh hưởng đến sự giam giữ hạt tải và khoảng cách mức năng lượng trong các chấm lượng tử do quá trình intermixing cảm ứng cấy ion, sau đó báo cáo về các bộ dao phát laser đa màu sắc và thảo luận về ảnh hưởng của những thay đổi này đến hiệu suất của thiết bị.

Mục lục chi tiết:

(Mục lục chi tiết không được cung cấp trong tài liệu gốc)