Tóm tắt Luận án Tiến sĩ Vật liệu điện tử: Nghiên cứu tương tác vật lý giữa điện tử tự do và điện tử định xứ trong các hệ nano cluster hợp kim Au9M2+ (M = Sc-Ni) và AgnCr (n = 2-12) bằng phương pháp phiếm hàm mật độ

Nghiên cứu tương tác vật lý giữa điện tử tự do và điện tử định xứ trong các hệ nano cluster hợp kim Au9M²+ (M = Sc-Ni) và AgnCr (n = 2-12) bằng phương pháp phiếm hàm mật độ

Tác giả: NGÔ THỊ LAN

Lĩnh vực: Vật liệu điện tử

Nội dung tài liệu:

Luận án tập trung nghiên cứu về tương tác vật lý giữa điện tử tự do và điện tử định xứ trong các hệ nano cluster hợp kim. Cụ thể, đề tài xem xét các hệ nano cluster Au9M²+ (với M là các nguyên tố từ Sc đến Ni) và AgnCr (với n biến đổi từ 2 đến 12), sử dụng phương pháp phiếm hàm mật độ để phân tích các khía cạnh về cấu trúc, tính chất điện tử, và năng lượng liên kết.

Nghiên cứu này làm rõ sự ảnh hưởng của các nguyên tử pha tạp và kích thước đến sự hình thành cấu trúc điện tử, độ bền vững, cũng như các đặc tính khác của nano cluster. Đặc biệt, đề tài nhấn mạnh vai trò của tương tác điện tử s-d trong việc định hình các tính chất của vật liệu, mở ra tiềm năng ứng dụng trong các lĩnh vực như xúc tác và lưu trữ năng lượng.

Mục lục chi tiết:

• Chương 1. Tổng quan về nano cluster hợp kim.
• Chương 2. Phương pháp nghiên cứu sử dụng trong luận án.
• Chương 3. Tương tác điện tử s-d trong các hệ nano cluster hợp kim.
• Chương 4. Ảnh hưởng của tương tác s-d đến các tính chất của nano cluster hợp kim.