Xem trước tài liệu

Đang tải tài liệu...

Thông tin chi tiết tài liệu

Định dạng: PDF
Số trang: 25 trang
Dung lượng: 1 MB

Giới thiệu nội dung

VIết Tên đề tài.

NGHIÊN CỨU CHẾ TẠO MÀNG ITO BẰNG PHƯƠNG PHÁP PHÚN XẠ MAGNETRON

Tác giả: Nguyễn Thanh Tú

Lĩnh vực: Vật lý Ứng dụng

Nội dung tài liệu:

Tiểu luận này tập trung nghiên cứu về việc chế tạo màng ITO (Indium Tin Oxide) bằng phương pháp phún xạ magnetron DC. Tài liệu trình bày tổng quan về các phương pháp tạo màng dẫn điện trong suốt, giới thiệu chi tiết về phương pháp phún xạ magnetron DC và các đặc điểm của màng ITO. Phần thực nghiệm mô tả hệ thống thiết bị Univex 450 được sử dụng, quy trình tạo màng và các phương pháp đo đạc tính chất của màng. Cuối cùng, tài liệu phân tích kết quả nghiên cứu về ảnh hưởng của các yếu tố như khoảng cách bia-đế, áp suất phún xạ và công suất phún xạ đến tính chất điện và quang của màng ITO, đồng thời đưa ra các kết luận và đề xuất.

Mục lục chi tiết:

  • Chương 1. TỔNG QUAN
  • 1.1. Giới thiệu sơ lược về phương pháp tạo màng dẫn điện trong suốt
  • 1.1.1. Các phương pháp
  • 1.1.2. Phương pháp phún xạ magnetron DC
  • 1.2. Giới thiệu màng ITO
  • 1.2.1. Giới thiệu màng trong suốt dẫn điện (TCO)
  • 1.2.2. Giới thiệu màng ITO
  • Chương 2. THỰC NGHIỆM VÀ PHƯƠNG PHÁP NGHIÊN CỨU
  • 2.1. Tạo màng bằng phương pháp phún xạ trong hệ Univex 450
  • 2.1.1. Hệ tạo màng mỏng Univex 450
  • 2.1.2. Quy trình tạo màng
  • 2.2. Các phép đo xác định tính chất của màng
  • Chương 3. KẾT QUẢ VÀ BÀN LUẬN
  • 3.1. Ảnh hưởng của quá trình chế tạo lên tính chất điện và quang của màng ITO trong phương pháp phún xạ magnetron DC
  • 3.1.1. Khoảng cách bia – đế và áp suất phún xạ
  • 3.1.2. Công suất phún xạ
  • 3.1.3. Nhiệt độ để
  • 3.1.4. Độ dày màng
  • 3.1.5. Khí Ôxi
  • 3.1.6. Xử lý nhiệt sau khi phủ
  • 3.2. Kết luận
  • TÀI LIỆU THAM KHẢO