Xem trước tài liệu

Đang tải tài liệu...

Thông tin chi tiết tài liệu

Định dạng: PDF
Số trang: 187 trang
Dung lượng: 13 MB

Giới thiệu nội dung

Chế tạo, Nghiên Cứu Tính Chất Quang và Định Hướng Ứng Dụng Trong Tán Xạ Raman Tăng Cường Bề Mặt Của Các Hệ Dây Nanô Silic Xếp Thẳng Hàng

Tác giả: Lương Trúc Quỳnh Ngân

Lĩnh vực: Khoa học Vật liệu

Nội dung tài liệu

Luận án này tập trung vào việc chế tạo và nghiên cứu các hệ dây nano silic xếp thẳng hàng (ASiNW). Các phương pháp chế tạo chính được đề cập đến bao gồm phương pháp ăn mòn hóa học có sự trợ giúp của kim loại (MACE) và phương pháp ăn mòn điện hóa có sự trợ giúp của kim loại (MAECE). Nghiên cứu cũng đi sâu vào việc phân tích ảnh hưởng của các điều kiện chế tạo và vật liệu ban đầu lên cấu trúc và tính chất của các hệ ASiNW này.

Đặc biệt, luận án tập trung vào việc nghiên cứu tính chất huỳnh quang (PL) của các hệ ASiNW, làm rõ nguồn gốc và cơ chế phát quang, cũng như ảnh hưởng của các thông số chế tạo lên các tính chất này. Một phần quan trọng của luận án là ứng dụng các hệ ASiNW này làm đế SERS để phát hiện các phân tử hữu cơ, bao gồm thuốc nhuộm malachite green (MG) và thuốc diệt cỏ paraquat (PQ), thông qua hiệu ứng tán xạ Raman tăng cường bề mặt (SERS).

Các kết quả nghiên cứu cho thấy phương pháp MAECE mang lại hiệu quả vượt trội trong việc tăng cường cường độ PL và SERS so với phương pháp MACE, đồng thời cho thấy sự ổn định và khả năng lặp lại tốt của đế SERS chế tạo từ AgNPs/OASiNW.

Mục lục chi tiết

Chương 1: Tổng quan về vật liệu dây nanô silic

Chương 2: Nghiên cứu chế tạo các hệ ASiNW bằng phương pháp ăn mòn hóa học và ăn mòn điện hóa có sự trợ giúp của kim loại

Chương 3: Nghiên cứu tính chất huỳnh quang của các hệ ASiNW

Chương 4: Ứng dụng hệ ASiNW trong tán xạ Raman tăng cường bề mặt

Kết luận