Xem trước tài liệu

Đang tải tài liệu...

Thông tin chi tiết tài liệu

Định dạng: PDF
Số trang: 142 trang
Dung lượng: 6 MB

Giới thiệu nội dung

NGHIÊN CỨU TÍNH CHẤT ĐIỆN TỬ CỦA VẬT LIỆU HAI CHIỀU MONOCHALCOGENIDE

Tác giả: Võ Thị Tuyết Vi

Lĩnh vực: Vật lý lý thuyết và vật lý toán

Nội dung tài liệu: Luận án tiến sĩ này tập trung nghiên cứu tính chất điện tử của các vật liệu hai chiều thuộc nhóm monochalcogenide, bao gồm các đơn lớp monochalcogenide nhóm III MX (M = Ga, In; X = S, Se, Te) và các cấu trúc bất đối xứng Janus dựa trên chúng như M2XY và GaInXO. Nghiên cứu sử dụng lý thuyết phiếm hàm mật độ (DFT) để khảo sát các đặc trưng cấu trúc, tính chất bền vững, ảnh hưởng của biến dạng và điện trường ngoài lên tính chất điện tử, cũng như công thoát và độ linh động của điện tử. Các kết quả nghiên cứu nhằm làm sáng tỏ hơn về tiềm năng ứng dụng của các vật liệu này trong lĩnh vực điện tử và các thiết bị thế hệ mới.

Mục lục chi tiết:

  • Lời cam đoan
  • Lời cảm ơn
  • Danh sách các bảng
  • Danh sách các hình vẽ
  • Danh mục các từ viết tắt
  • Danh mục một số kí hiệu
  • Phần mở đầu
  • Chương 1: Tổng quan về vật liệu hai chiều có cấu trúc lớp và lý thuyết phiếm hàm mật độ
  • Chương 2: Tính chất điện tử của vật liệu hai chiều monochalcogenide nhóm III
  • Chương 3: Vật liệu hai chiều bất đối xứng Janus monochalcogenide nhóm III
  • Chương 4: Oxy hóa vật liệu hai chiều Janus monochalcogenide nhóm III
  • Kết luận chung
  • Tài liệu tham khảo
  • Danh mục các công trình khoa học đã công bố liên quan đến kết quả nghiên cứu của luận án